目前,石墨烯的制备方法通常分为两类:化学方法和物理方法。简要介绍几种:
||机械剥离法
石墨烯首次发现时采用的方法。即直接利用透明胶带反复剥离至较薄的石墨片层,方法简单易行,难以量产,且石墨烯尺寸不可控。
机械剥离法制备石墨烯
||取向附生法
利用生长基质原子结构在单晶衬底上“种”出晶向与衬底一样的单晶层。首先,让碳原子在2550℃下渗入钌,然后冷却到2310℃,之前吸收的大量碳原子形成镜片形状,且浮出并布满整个钌表面,最终“长”成完整的一层石墨烯。这种方法获得的石墨烯定向性高,但厚度不均匀,而且性能会受损。
||化学气相沉淀法
反应物于气态下进行化学反应,产物呈固态沉积在固态基体表面,最后制备出固体产品的方法。该法是大规模工业化生产半导体薄膜的主要方法,生产工艺已比较完善。以多晶镍为基板,在其表面通过热解甲烷以及氢气的混合气体实验,成功获得12层以下甚至单层的石墨烯薄膜。该法可以控制石墨烯片层尺寸,也可用于大规模生产,但制备出来的石墨烯缺失了某些属性,例如量子霍尔效应,且其电子性质受衬底影响较大。
化学气相沉淀法制备石墨烯
||电化学法
以石墨棒为电极,离子性溶液为电解液,用电化学法将阳极上的石墨片层剥落而成石墨烯。该法制备得到的是氧化石墨烯,其片层可以很好地分散在极性溶剂中,且具有一定的导电性。
||氧化还原法
首先,以天然石墨或者膨胀石墨粉与强氧化剂以及强酸为原料,使它们形成胶体体系,反应后获得氧化石墨烯。这一过程主要以Hummers法最为常用——以浓硫酸和高锰酸钾为氧化剂,氧化石墨粉,氧原子进入石墨层间,与π电子结合,从而破坏层内π键,而在石墨烯片层上形成羰基、羧基等含氧官能团。然后,还原氧化石墨烯获得石墨烯。常用的还原方法有化学还原及热还原等。
氧化还原法制备石墨烯